功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时,栅极电阻选型注意事项 2023-09-25 行业动态 作者 本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗,开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路噪 查看详细