介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一