如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法! 2023-09-19 行业动态 作者 SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET,带来最新宽带隙半导体技术的性能优势,以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装,由此增加了自动装配的 查看详细