贸泽电子开售Laird Connectivity用于全球射频应用的RM126x系列LoRaWAN模块

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专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起供货Laird Connectivity的RM126x系列LoRaWAN™模块。RM1

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MG24助力Waites开发适用于工业物联网和AI的传感器

MG24助力Waites开发适用于工业物联网和AI的传感器

Silicon Labs(亦称“芯科科技”)超低功耗、多协议的MG24 SoC为Waites公司的工业物联网状态监测(Condition Monitoring)传感器提供了理想的网状网络无线连接解决方

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美光低功耗内存解决方案助力高通第二代骁龙XR2平台提升混合现实(MR)与虚拟现实(VR)体验

美光低功耗内存解决方案助力高通第二代骁龙XR2平台提升混合现实(MR)与虚拟现实(VR)体验

Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用闪存 UFS 3.1 嵌入式解决方案现已通过高通 (Qualcomm Tech

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思瑞浦高集成度汽车级PMIC芯片TPU25401,为主控SoC提供高效稳定供电

思瑞浦高集成度汽车级PMIC芯片TPU25401,为主控SoC提供高效稳定供电

随着人工智能的快速发展,电源管理芯片作为系统中的核心元器件,其性能直接影响到整个系统的稳定性和效能。思瑞浦发布了高集成度的汽车级电源管理芯片(PMIC)——TPU25401,专为各种系统提供超低功耗、

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新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程,助力加速射频芯片设计

摘要:●   全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。●   业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。●   集成的设计流程提升了开发者

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ams OSRAM新款OSTAR LED色彩更为鲜明,对比度也更加突出,而且亮度更高

ams OSRAM新款OSTAR LED色彩更为鲜明,对比度也更加突出,而且亮度更高

●   OSTAR® Projection Power LE xx P1MS/AS LED采用四通道配置,在投影仪白点亮度可高达880lm;●   采用紧凑型、散热高效的封装和隔离芯片技术,可实现非常

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尼得科仪器株式会社研发出燃气热水器泵新产品

尼得科仪器株式会社研发出燃气热水器泵新产品

 尼得科株式会社的集团公司尼得科仪器株式会社(旧日本电产三协)研发出了小型、低振动、低噪音的热水器泵。近年来,热水器泵除了要更轻便、更小巧之外,还要低振动和低噪音,以避免在深夜运行时驱动声成为问题。本

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新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性,推出面向台积公司N3E工艺的“从架构探索到签核” 统一设计平台和经验证的UCIe IP

新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性,推出面向台积公司N3E工艺的“从架构探索到签核” 统一设计平台和经验证的UCIe IP

摘要:●   新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0标准,可用于异构集成和完整的“从架构探索到签核”完整解决方案。●   新思科技 UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上实

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意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置

意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置

意法半导体发布了ACEPACK[1] DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵

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通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统

通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统

电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量,这样当环境条件不太有利于发电时,就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构,然后介绍了安森美(o

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用并联48V DC-DC稳压器提高自主驾驶车辆的功率

用并联48V DC-DC稳压器提高自主驾驶车辆的功率

随着包括主动悬挂、转向、气候控制、电动座椅和电动车窗以及高级信息娱乐系统在内的电气系统数量的增多,对电源的需求也在日益增加,进而推动了汽车电源系统从 12 V 向 48 V 的转变。事实证明,48 V

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pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案

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假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件,其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而,如果栅极和漏极偏置时序不正确,漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁

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